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IRFB4228

Transistor canal N IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 4530pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 330A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

5.35€

Quantité en stock: 40

IRFB4229

Transistor canal N IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Amplificateur audio de classe D 300W-500W (demi-pont). Id(imp): 180A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

6.64€

Quantité en stock: 83

IRFB42N20D

Transistor canal N IRFB42N20D, 31A, 44A, 250uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 3430pF. C (out): 530pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 180A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB42N20D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 29 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

4.75€

Quantité en stock: 13

IRFB42N20DPBF

Transistor canal N IRFB42N20DPBF, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 97A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.072 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 4820pF. C (out): 340pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 390A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4410ZPBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.66€

Quantité en stock: 122

IRFB4310PBF

Transistor canal N IRFB4310PBF, 92A, 130A, 250uA, 5.6M Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 92A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 5.6M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 7670pF. C (out): 540pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 300W. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 550A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4310. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 68 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 45 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

4.89€

Quantité en stock: 155

IRFB4710

Transistor canal N IRFB4710, 53A, 75A, 250uA, 0.011 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 53A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 300A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FB4710. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3.5V...

4.61€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 36

IRFB4710PBF

Transistor canal N IRFB4710PBF, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 6160pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 45A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFB4710PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V...

4.14€

Quantité en stock: 137

IRFB52N15D

Transistor canal N IRFB52N15D, 36A, 51A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 36A. Id (T=25°C): 51A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2770pF. C (out): 590pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: convertisseurs DC-DC haute fréquence, écran plasma. Id(imp): 230A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB52N15D. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 28 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

4.04€

Quantité en stock: 23

IRFB5615PBF

Transistor canal N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1750pF. C (out): 155pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 144W. Fonction: pour les applications d'amplification audio de classe D. Id(imp): 140A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB5615PbF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V...

3.52€

Quantité en stock: 10

IRFB7437

Transistor canal N IRFB7437, 180A, 250A, 150uA, 1.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 180A. Id (T=25°C): 250A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 1.5M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 7330pF. C (out): 1095pF. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Applications de variateurs de vitesse BLDC, circuits alimentés par batterie, convertisseurs DC/DC et AC/DC. Id(imp): 1000A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Td(off): 78 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V...

2.15€

Quantité en stock: 68

IRFB7437PBF

Transistor canal N IRFB7437PBF, 40V, 0.0015 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 40V. Résistance passante Rds On: 0.0015 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Courant de drain maxi: 250A/195A. Puissance: 230W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

3.55€

Quantité en stock: 4

IRFB7440PBF

Transistor canal N IRFB7440PBF, TO-220AB, 40V, 0.002 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 40V. Résistance passante Rds On: 0.002 Ohms. : 'enhanced'. Charge: 90nC. Courant de drain maxi: 172A/120A. Courant de drain: 208A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 208W. RoHS: oui. Technologie: HEXFET®. Tension drain - source: 40V. Tension grille-source: ±20V. Type de canal: N. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET...

3.72€

+62 rapidement
Quantité en stock: 5

IRFB7444PBF

Transistor canal N IRFB7444PBF, 60.4k Ohms, 172A, 150uA, 2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 40V. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 172A. Idss (maxi): 150uA. Résistance passante Rds On: 2M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 40V. C (in): 4730pF. C (out): 680pF. Dissipation de puissance maxi: 143W. Fonction: Applications de variateurs de vitesse BLDC, circuits alimentés par batterie, convertisseurs DC/DC et AC/DC. Id(imp): 770A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. RoHS: oui. Td(off): 115 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: StrongIRFET, HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.2V...

1.68€

Quantité en stock: 46

IRFB7446PBF

Transistor canal N IRFB7446PBF, 40V, 0.0026 Ohms, TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 40V. Résistance passante Rds On: 0.0026 Ohms. Boîtier: TO-220AB. Courant de drain maxi: 123A/120A. Puissance: 99W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

2.84€

Quantité en stock: 39

IRFB9N60A

Transistor canal N IRFB9N60A, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 180pF. Dissipation de puissance maxi: 170W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

3.50€

Quantité en stock: 126

IRFB9N65A

Transistor canal N IRFB9N65A, 5.4A, 8.5A, 8.5A, 0.93 Ohms, TO-220, TO-220AB, 650V. Id (T=100°C): 5.4A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 8.5A. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 650V. Dissipation de puissance maxi: 167W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.99€

Quantité en stock: 35

IRFBC20

Transistor canal N IRFBC20, 600V, 4.4 Ohms, TO-220.. Tension drain - source (Vds): 600V. Résistance passante Rds On: 4.4 Ohms. Boîtier: TO-220.. Courant de drain maxi: 2.2A. Puissance: 50W. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

1.84€

Quantité en stock: 48

IRFBC30

Transistor canal N IRFBC30, 2.3A, 3.6A, 500uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

1.38€

Quantité en stock: 100

IRFBC30A

Transistor canal N IRFBC30A, 2.3A, 3.6A, 250uA, 2.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 3.6A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 74W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 14A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 19 ns. Td(on): 9.8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.68€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 47

IRFBC40

Transistor canal N IRFBC40, 3.9A, 6.2A, 500uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.2A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1300pF. C (out): 160pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 25A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 55 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

1.82€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 41

IRFBC40PBF

Transistor canal N IRFBC40PBF, TO-220., 600V, 1.2 Ohms, 600V. Boîtier: TO-220.. Tension drain - source (Vds): 600V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.2A. Courant de drain maxi: 6.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBC40PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 125W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

2.95€

+35 rapidement
Quantité en stock: 34

IRFBE30

Transistor canal N IRFBE30, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 16A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.13€

Quantité en stock: 112

IRFBE30PBF

Transistor canal N IRFBE30PBF, TO-220AB, 800V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Charge: 78nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.5A. Courant de drain: 4A, 2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 82 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFBE30PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 125W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 3 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension drain - source: 800V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

2.34€

+15 rapidement
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IRFBF20S

Transistor canal N IRFBF20S, 1.1A, 1.7A, 500uA, 8 Ohms, TO-262 ( I2-PAK ), TO-262, 900V. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 8 Ohms. Boîtier: TO-262 ( I2-PAK ). Boîtier (selon fiche technique): TO-262. Tension Vds(max): 900V. C (in): 490pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 54W. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 6.8A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 56 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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