Transistor canal N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor canal N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Quantité
Prix unitaire
1-9
3.48€
10-24
3.20€
25-49
2.91€
50-99
2.64€
100+
2.20€
Quantité en stock: 10

Transistor canal N IRFB5615PBF, 25A, 35A, 250uA, 0.032 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1750pF. C (out): 155pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 144W. Fonction: pour les applications d'amplification audio de classe D. Id(imp): 140A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB5615PbF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

IRFB5615PBF
32 paramètres
Id (T=100°C)
25A
Id (T=25°C)
35A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
0.032 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
150V
C (in)
1750pF
C (out)
155pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
144W
Fonction
pour les applications d'amplification audio de classe D
Id(imp)
140A
Idss (min)
20uA
Marquage sur le boîtier
IRFB5615PbF
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
17.2ns
Td(on)
8.9 ns
Technologie
MOSFET audio numérique
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
80 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier