Transistor canal N IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Transistor canal N IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V

Quantité
Prix unitaire
1-4
5.28€
5-24
4.72€
25-49
4.33€
50-99
4.05€
100+
3.60€
Quantité en stock: 40

Transistor canal N IRFB4228, 59A, 83A, 1mA, 12m Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 83A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 150V. C (in): 4530pF. C (out): 550pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Commutateur PDP. Id(imp): 330A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 24 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 76 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
IRFB4228
29 paramètres
Id (T=100°C)
59A
Id (T=25°C)
83A
Idss (maxi)
1mA
Résistance passante Rds On
12m Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
150V
C (in)
4530pF
C (out)
550pF
Dissipation de puissance maxi
330W
Fonction
Commutateur PDP
Id(imp)
330A
Idss (min)
20uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
24 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-40...+175°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
76 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier