Transistor canal N IRFB42N20DPBF, 69A, 97A, 250uA, 0.072 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 69A. Id (T=25°C): 97A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.072 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 4820pF. C (out): 340pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 230W. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 390A. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB4410ZPBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 43 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14