Transistor canal N IRFB4229, 33A, 46A, 1mA, 38m Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 1mA. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Dissipation de puissance maxi: 330W. Fonction: Amplificateur audio de classe D 300W-500W (demi-pont). Id(imp): 180A. Idss (min): 20uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14