Transistor canal N IRFBE30, 2.6A, 4.1A, 500uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 800V. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 16A. Idss (min): 100uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14