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BF256B

Transistor canal N BF256B, TO-92, 13mA, TO-92, 30 v. Boîtier: TO-92. Idss (maxi): 13mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Conditionnement: -. Courant de drain: 13mA. Courant de déclenchement: 10mA. Dissipation de puissance maxi: 350W. Fonction: pour amplificateurs RF VHF/UHF. IGF: 10mA. Idss (min): 6mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: 30V. Tension grille-source: -30V. Tension grille/source Vgs: 0.5V. Type de canal: N. Type de conditionnement: -. Type de transistor: N-JFET...

0.44€

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Quantité en stock: 623

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BF256C

Transistor canal N BF256C, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (maxi): 18mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Fonction: pour amplificateurs RF VHF/UHF. IGF: 10mA. Idss (min): 11mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 0.5V. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

0.59€

Quantité en stock: 1397

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FDS6900AS

Transistor canal N FDS6900AS, SO, 8.2A, 8.2A, 30 v, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): 8.2A. Idss (maxi): 8.2A. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF/600pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8.2A/6.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 6.9A, Rds-on 0.027 Ohms (Q1). Marquage du fabricant: FDS6900AS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 8.2A, Rds-on 0.022 Ohms (Q2). Technologie: Double transistor MOSFET à canal N. 'PowerTrench - SyncFET'. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.25€

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Quantité en stock: 88

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IRL2203NSPBF

Transistor canal N IRL2203NSPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2203NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

4.73€

Quantité en stock: 1

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IRL2203NSTRLPBF

Transistor canal N IRL2203NSTRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2203NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

5.32€

Quantité en stock: 798

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IRL3713S

Transistor canal N IRL3713S, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. Id (T=100°C): 170A. Id (T=25°C): 200A. Idss (maxi): 200A. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: résistance passante Rds-on très faible. Quantité par boîtier: 1. Remarque: UltraLow Gate. Technologie: SMPS MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.33€

Quantité en stock: 32

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IRL3713STRLPBF

Transistor canal N IRL3713STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5890pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 260A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Dissipation maximale Ptot [W]: 170W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3713S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V...

6.51€

Quantité en stock: 164

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IRL3803PBF

Transistor canal N IRL3803PBF, TO-220AB, 30V, 0.006 Ohms, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): 30V. Boîtier (norme JEDEC): -. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Commande: niveau logique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain maxi: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3803. Nombre de bornes: 3. Puissance: 200W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Type de canal: N. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET...

3.91€

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Quantité en stock: 328

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IRL3803SPBF

Transistor canal N IRL3803SPBF, D²-PAK, TO-263, 30 v. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L3803S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€

Quantité en stock: 512

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MCH5803

Transistor canal N MCH5803, 1.4A, 1.4A, 30 v. Id (T=25°C): 1.4A. Idss (maxi): 1.4A. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: 0505-111646. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS QU. Technologie: SMD 5p.. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

2.18€

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SI2304DDS-T1-GE3

Transistor canal N SI2304DDS-T1-GE3, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 235pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ 3.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P4. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.2V...

1.18€

Quantité en stock: 1984

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SI2306BDS-T1-E3

Transistor canal N SI2306BDS-T1-E3, SOT23, 30V, 30 v. Boîtier: SOT23. Vdss (tension drain à source): 30V. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 305pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.057 Ohms @ 2.8A. Dissipation de puissance maxi: 1.25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.8W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 4A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: L6. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET N. RoHS: oui. Série: TrenchFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD...

1.18€

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SI4410BDY-E3

Transistor canal N SI4410BDY-E3, SO8, MS-012, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI4410BDY. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.05€

Quantité en stock: 15

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SI9410BDY-E3

Transistor canal N SI9410BDY-E3, SO8, TO-263AB, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): TO-263AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI9410BDY-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.64€

Quantité en stock: 2358

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SQ2348ES-T1_GE3

Transistor canal N SQ2348ES-T1_GE3, SOT-23, MS-012, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.18€

Quantité en stock: 5853

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SUP75N03-04

Transistor canal N SUP75N03-04, TO-220AB, 30 v. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 10742pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 187W. Délai de coupure tf[nsec.]: 190 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SUP75N03-04. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

6.26€

Quantité en stock: 97

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2SK104

Transistor canal N 2SK104, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (maxi): 2.5mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Fonction: amplification HF. Idss (min): 2.5mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

3.33€

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3LN01SS

Transistor canal N 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. Id (T=25°C): 0.15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SSFP. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7pF. C (out): 5.9pF. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.27€

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AO4430

Transistor canal N AO4430, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 18A. Idss (maxi): 5uA. Résistance passante Rds On: 0.0047 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 6060pF. C (out): 638pF. Dissipation de puissance maxi: 3W. Fonction: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Id(imp): 80A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: résistance de grille ultra-faible. Td(off): 51.5 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 33.5 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V...

1.56€

Quantité en stock: 55

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AO4710

Transistor canal N AO4710, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.02mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V...

1.42€

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AO4716

Transistor canal N AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2154pF. C (out): 474pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.1mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V...

1.28€

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AP40T03GP

Transistor canal N AP40T03GP, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 28A. Idss (maxi): 25uA. Résistance passante Rds On: 25m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 655pF. C (out): 145pF. Dissipation de puissance maxi: 31.25W. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 95A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 40T03 GP. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 16 mS. Td(on): 6 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55°C...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.45€

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BF545A

Transistor canal N BF545A, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 6.5mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Dissipation de puissance maxi: 2mA. Fonction: HF-VHF. IGF: 10mA. Idss (min): 2mA. Marquage sur le boîtier: 20*. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.2V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: JFET...

0.59€

Quantité en stock: 2868

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BF545B

Transistor canal N BF545B, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Dissipation de puissance maxi: 6mA. Fonction: HF-VHF. IGF: 10mA. Idss (min): 6mA. Marquage sur le boîtier: 21*. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: N. Type de transistor: JFET...

0.50€

Quantité en stock: 1094

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