Transistor canal N FDS6900AS, SO, 8.2A, 8.2A, 30 v, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): 8.2A. Idss (maxi): 8.2A. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 570pF/600pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8.2A/6.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: 6.9A, Rds-on 0.027 Ohms (Q1). Marquage du fabricant: FDS6900AS. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 8.2A, Rds-on 0.022 Ohms (Q2). Technologie: Double transistor MOSFET à canal N. 'PowerTrench - SyncFET'. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19