Transistor canal N SQ2348ES-T1_GE3, SOT-23, MS-012, 30 v. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:19