Transistor canal N AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal N AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.27€
5-49
1.05€
50-99
0.88€
100+
0.79€
Quantité en stock: 48

Transistor canal N AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 9.6A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0058 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2154pF. C (out): 474pF. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. Fonction: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Id(imp): 180A. Idss (min): 0.1mA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 25.2 ns. Td(on): 6.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 12 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Produit d'origine constructeur: Alpha & Omega Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
AO4716
30 paramètres
Id (T=100°C)
9.6A
Id (T=25°C)
12A
Idss (maxi)
20mA
Résistance passante Rds On
0.0058 Ohms
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
2154pF
C (out)
474pF
Dissipation de puissance maxi
3.1W
Fonction
t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C
Id(imp)
180A
Idss (min)
0.1mA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
25.2 ns
Td(on)
6.8 ns
Technologie
'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
12 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1.3V
Produit d'origine constructeur
Alpha & Omega Semiconductors