Transistor canal N SI9410BDY-E3, SO8, TO-263AB, 30 v. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): TO-263AB. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI9410BDY-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Produit d'origine constructeur: Vishay (siliconix). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:47