Transistor canal N 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. Id (T=25°C): 0.15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SSFP. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 7pF. C (out): 5.9pF. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 150 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.3V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52