BUZ11
Transistor canal N BUZ11, TO-220, 50V, 0.03 Ohms, 50V, 19A, 30A, 100uA, TO-220AC, 50V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): 50V. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension Vds(max): 50V. C (in): 1500pF. C (out): 750pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 1500pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain maxi: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Délai de coupure tf[nsec.]: 180 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 20uA. Marquage du fabricant: BUZ11. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...
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