Transistor canal N BTS50010-1TAE, D²-PAK/7, TO-263, 18V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 18V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 40A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: -. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: S50010E. Nombre de bornes: 6. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: -. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:19