Transistor canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V

Transistor canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V

Quantité
Prix unitaire
1-4
13.99€
5-9
12.68€
10-24
11.74€
25-49
11.07€
50+
10.04€
Quantité en stock: 19

Transistor canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-5-11. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS432E2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 5. Nombre de connexions: 5. RoHS: oui. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:52

Documentation technique (PDF)
BTS432E2
19 paramètres
Résistance passante Rds On
38m Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220-5-11
Tension drain-source Uds [V]
42V
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
11A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.038 Ohms @ 2A
Dissipation maximale Ptot [W]
125W
Délai de coupure tf[nsec.]
80us
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BTS432E2
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
5
Nombre de connexions
5
RoHS
oui
Spec info
PROFET N-MOS 43V 11A
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
300us
Température maxi
+150°C.
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies