Transistor canal N BTS611L1E, D²-PAK/7, TO-263, 34V
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Transistor canal N BTS611L1E, D²-PAK/7, TO-263, 34V. Boîtier: D²-PAK/7. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS611L1. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:01
BTS611L1E
15 paramètres
Boîtier
D²-PAK/7
Boîtier (norme JEDEC)
TO-263
Tension drain-source Uds [V]
34V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
4A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.2 Ohms @ 1.8A
Dissipation maximale Ptot [W]
36W
Délai de coupure tf[nsec.]
400us
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BTS611L1
Nombre de bornes
3
RoHS
non
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
400us
Température maxi
+150°C.
Produit d'origine constructeur
Infineon