Transistor canal N BTS721L1, P-DSO-20, 34V

Transistor canal N BTS721L1, P-DSO-20, 34V

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Quantité en stock: 14

Transistor canal N BTS721L1, P-DSO-20, 34V. Boîtier: P-DSO-20. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 34V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 3.7W. Délai de coupure tf[nsec.]: 400us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS721L1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 400us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:01

Documentation technique (PDF)
BTS721L1
14 paramètres
Boîtier
P-DSO-20
Tension drain-source Uds [V]
34V
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de drain Id (A) @ 25°C
2.9A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.01 Ohms @ 2A
Dissipation maximale Ptot [W]
3.7W
Délai de coupure tf[nsec.]
400us
Famille de composants
MOSFET, N-MOS
Marquage du fabricant
BTS721L1
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
400us
Température maxi
+150°C.
Produit d'origine constructeur
Infineon