Transistor canal N BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Transistor canal N BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.59€
5-24
3.99€
25-49
3.55€
50+
3.44€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 14

Transistor canal N BUK455-600B, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.5A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 20uA. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 750pF. C (out): 90pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: Power MOSFET SMPS. Id(imp): 16A. Idss (min): 2uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25

Documentation technique (PDF)
BUK455-600B
29 paramètres
Id (T=100°C)
2.5A
Id (T=25°C)
4A
Idss (maxi)
20uA
Résistance passante Rds On
2.1 Ohms
Boîtier
TO-220
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension Vds(max)
600V
C (in)
750pF
C (out)
90pF
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
100W
Fonction
Power MOSFET SMPS
Id(imp)
16A
Idss (min)
2uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Td(off)
100 ns
Td(on)
10 ns
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1200 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Unité de conditionnement
50
Vgs(th) min.
2.1V
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors

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