Diodes standard et de redressement

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 2A. Ifsm [A]: 55A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..100uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 1.15V @ 2A

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: 4.2x4.3mm. Remarque: 50App/10ms. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement montée en surface (CMS). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMC. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..200uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 1.15V @ 3A

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.15V. Tension de seuil Vf (min): 1.15V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Diode. Cj: 80pF. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Redressement secteur 50/60 Hz. IF(AV): 5A. IFSM: 180A. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: S5M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 7.2x5.8x2.2mm ). Température de fonctionnement: -50...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Boîtier: DO15. Type de diode: diode de redressement Schottky. Montage/installation: THT. Tension inverse maxi: 30V. Courant: 1A. Capacité: 110pF. Structure semi-conductrice: diode. Courant d'impulsion max.: 40A

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): soudure sur circuit imprimé. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.7V. Tension de seuil Vf (min): 0.7V. VRRM: 60V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 90V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--40Ap T=8.3mS

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). Tension de seuil Vf (max): 0.79V. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement Schottky. Remarque: IFSM--50Ap/10mS

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 6.3x3.0mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Remarque: diode de redressement Schottky. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IF(AV): 15A. IFSM: 275A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: Total IF(AV) 2ch 30A. Spec info: Ifsm--275A t=8.3ms

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Diode. Cj: 175pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. IRM (max): 6mA. IRM (min): 0.001mA. Marquage sur le boîtier: SB3200. Equivalences: Vishay--VSB3200. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.68V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--80Ap 50Hz 8.3ms

Boîtier: DO201. Montage/installation: THT. Tension inverse maxi: 40V. Conditionnement: Ammo Pack

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.5x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 90V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 100Ap 50Hz 8.2ms

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): diode de redressement Schottky. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 5A. Ifsm [A]: 310A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.6mA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.79V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 100V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.79V @ 5A

Diode. Cj: 150pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. IRM (max): 50mA. IRM (min): 8uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.92V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V. VRRM: 150V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 125Ap

Diode. Cj: 120pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 0.1mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.9V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 5A. IFSM: 125A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.67V. VRRM: 50V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 125Ap (t=10ms)

Diode. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. If [A]: 2x10A. Ifsm [A]: 110A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 300uA..7mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.85V @ 10A. Famille de composants: double diode de redressement Schottky

Diode. Cj: 700pF. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 30A. IFSM: 275A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: SMPS DIODE. Remarque: Ifsm--275A/8.3mS 60Hz. Unité de conditionnement: 30. Remarque: double diode au silicium. Spec info: diode de redressement Schottky

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. IRM (max): 10mA. IRM (min): 0.3mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: P-600. Boîtier (selon fiche technique): P600 ( 8x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.42V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--300Ap T=10mS 50Hz