Diodes standard et de redressement

Diode. Cj: 250pF. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 5A. IF(RMS): 120Ap / 8.3ms. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. VRRM: 20V. Nombre de connexions: 2

Diode. Cj: 175pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Marquage sur le boîtier: SR5200. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD ( 4.5x7.5mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifsm 150Ap

Diode. Cj: 100pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): SMA. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.5x2.79mm ). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.6V. Tension de seuil Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement Schottky au silicium. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMB. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 2A. Ifsm [A]: 50A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.4mA..10mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C. Tension directe Vfmax (V): 0.7V @ 2A

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS34. Equivalences: SS34B. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AA (SMB) 4.57x3.94mm. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (max): 20mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS34. Equivalences: SS34-E3/9AT. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Diode. Cj: 152pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 12 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. IRM (max): 60mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: 34L. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOD-123. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS 34L. Boîtier (selon fiche technique): 425AB SMA (3.8x1.9mm). Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: IFSM--80Ap (tp=8.3ms)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. IRM (max): 10mA. IRM (min): 500uA. Marquage sur le boîtier: SS36. Equivalences: SS36-E3/9AT. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): DO-214AB (SMA) 7.11x6.22mm. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.75V. Tension de seuil Vf (min): 0.75V. VRRM: 60V. Nombre de connexions: 2. Fonction: diode de redressement à barrière Schottky, montage en surface. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 5A. Remarque: ->l<-. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--50A10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V

Diode. Double: Double. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. Remarque: ->l<-. Remarque: ULTRA FAST. Remarque: Ifsm--80A10mS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. VRRM: 200V

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOD-123. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 5.5A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 60V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50uA..4mA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.5V @ 0.5A

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement Schottky, montage CMS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMA. Boîtier (norme JEDEC): DO-214AC. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. If [A]: 1A. Ifsm [A]: 75A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 0.26V @ 1A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 6mA...15mA

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. IF(AV): 10A/diode. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension de seuil Vf (max): 0.65V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V. VRRM: 45V. Nombre de connexions: 3. Remarque: diode de redressement Schottky. Unité de conditionnement: 50. Remarque: double diode au silicium. Spec info: total 20A, IFSM 180App (t=10ms)

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. IF(AV): 20A. IFSM: 250A. IRM (max): 2mA. IRM (min): 4.5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V. VRRM: 100V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: IFSM--250Ap. Unité de conditionnement: 50. Spec info: tension d'isolation 2000VDC, capacité 45pF

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. IF(AV): 10A. IFSM: 250A. IRM (max): 6mA. IRM (min): 4.5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.67V. Tension de seuil Vf (min): 0.56V. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 3. Remarque: diode de redressement Schottky. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IF(AV): 2A. IF(RMS): 10A. IFSM: 50A / 10mS. IRM (max): 5mA. IRM (min): 1uA. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41. Tension de seuil Vf (max): 0.92V. Tension de seuil Vf (min): 0.65V. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky de puissance. faible chute de tension. IF(AV): 2A. IFSM: 75A. IRM (max): 80mA. IRM (min): 220uA. Marquage sur le boîtier: GD4. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO214AA ( 4.6x3.95mm ). Tension de seuil Vf (max): 0.39V. Tension de seuil Vf (min): 0.25V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS GD4. Spec info: IFSM--75Ap (tp =10ms)

Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IF(AV): 30A. IFSM: 220A. IRM (max): 11mA. IRM (min): 200uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.84V. Tension de seuil Vf (min): 0.5V. VRRM: 45V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: IFSM--220Ap, t=10ms

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. IF(AV): 15A. IFSM: 250A. IRM (max): 6mA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.74V. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 3. Remarque: diode de redressement Schottky. Tension de seuil Vf (min): 0.64V. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IFSM--250App, t=10mS

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: 'High Voltage Power Schottky'. IF(AV): 5A. IFSM: 75A. IRM (max): 4.5mA. IRM (min): 3.5uA. Marquage sur le boîtier: S5H100. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252A ( Dpak ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.57V. VRRM: 100V. Spec info: 75App/10ms

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Redresseur de puissance Schottky. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 0.2mA. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Tension de seuil Vf (max): 0.5V. Tension de seuil Vf (min): 0.38V. VRRM: 40V. Nombre de connexions: 2. Spec info: 150App / 10ms

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky haute tension. IF(AV): 30A. IFSM: 270A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.97V. VRRM: 170V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: IF(AV) 30A/diode, 60A/total. Remarque: diode de redressement Schottky. Unité de conditionnement: 50. Spec info: IFSM--270App, t=10mS

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 8A. RoHS: oui. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 100V. Remarque: 'High Voltage Power Schottky'. Remarque: 250App/10ms

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension ultra-rapide. IF(AV): 12A. IFSM: 110A. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 110App/10ms

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra-fast diode. IF(AV): 5A. IFSM: 55A. IRM (max): 0.75mA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT TO-220AC. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--55Ap (t=10ms)