Diode RH4F

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Diode RH4F. Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'damper'. IF(AV): 2.5A. IFSM: 50A. Remarque: Samsung--0402-000266. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

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