Diodes standard et de redressement

Diode, 4A, 125A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 200V. IF(AV): 4A. IFSM: 125A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 200V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. Marquage sur le boîtier: MUR420. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 0.89V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03, 600V. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5mm ) CASE267–03. VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: MUR460. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.28V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 4A, 70A, DO-201, D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05, 800V. IF(AV): 4A. IFSM: 70A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): D0-201AD ( 9.5x5.3mm ) CASE267–05. VRRM: 800V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Switchmode Power Rectifiers. IRM (max): 900uA. IRM (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: MUR480E. Equivalences: MUR480ERLG. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.85V. Tension de seuil Vf (min): 1.53V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 60A, 550A, TO-247, TO-247AC, 600V. IF(AV): 60A. IFSM: 550A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SWITCHMODE Power Rectifiers. Marquage sur le boîtier: MUR 6060. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Remarque: diode à récupération ultra rapide

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 1000V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1000V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Marquage sur le boîtier: U8100E. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Marquage sur le boîtier: U820. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: MUR860. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: diode de redressement pour alimentation à découpage. Spec info: diode de redressement ultra rapide

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: diode de redressement ultra rapide

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 800V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 800V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. Marquage sur le boîtier: U880E. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: diode de redressement ultra-rapide

Diode, 1A, 40A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 200V. IF(AV): 1A. IFSM: 40A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 200V. Diode Tff(25°C): 25 ns. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IRM (max): 50uA. IRM (min): 2uA. Marquage sur le boîtier: U1D. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U1D

Diode, 1A, 35A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ), 600V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). VRRM: 600V. Diode Tff(25°C): 50 ns. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: U1J. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U1J

Diode, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 200V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Power Rectifiers. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.875V. Tension de seuil Vf (min): 0.71V. Nombre de connexions: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS U3D

Diode, 3A, 75A, DO-214, SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 75A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 600V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S R6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J

Diode, 3A, 100A, DO-214, SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ), 600V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMB DO-214AB ( 4.6x3.95mm ). VRRM: 600V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 250uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: MURS360T3G, MUR360S, R6. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.88V. Nombre de connexions: 2. Remarque: Ultrafast Power Rectifiers. Remarque: sérigraphie/code CMS U3J

Diode, 10A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P1000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS

Diode, 20A, 500A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1000V. IF(AV): 20A. IFSM: 500A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1000V. Cj: 110pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P2000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms)

Diode, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 9x9mm ), 800V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9x9mm ). VRRM: 800V. Cj: 150pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 2500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A08. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Spec info: IFSM--400Ap (t=8.3ms)

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement standard. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8x7.5mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 6A. Ifsm [A]: 450A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 10uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 5A. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: IFSM--400Ap (t=8.3ms). Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 9.1x9.1mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V

Diode, 6A, 400A, R-6, R-6 ( 8x7.5mm ), 1200V. IF(AV): 6A. IFSM: 400A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). VRRM: 1200V. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 6A12. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--360Ap (t=10ms), 400Ap (t=8.3ms)

Diode, 1A, 10A, SOD-323, SOD-323F, 60V. IF(AV): 1A. IFSM: 10A. Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. VRRM: 60V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement Schottky (série Mega). Marquage sur le boîtier: EQ. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.66V. Tension de seuil Vf (min): 0.21V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode, 1.5A, 50A, DO-41, DO-41 ( 2.7x5.0mm ), 400V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.7x5.0mm ). VRRM: 400V. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST RECOVERY RECTIFIER. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--50App, t=8.3mS

Diode, 30A, 1000V, A-405 (5.2x2.7mm). IFSM: 30A. VRRM: 1000V. Boîtier (selon fiche technique): A-405 (5.2x2.7mm). Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: commutation rapide. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Diode. Remarque: DAEWOO TV

Diode. Remarque: SONY TV

Diode, 20A, 100A, TO-220FP, TO-220FN, 350V. IF(AV): 20A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FN. VRRM: 350V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 25 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 10uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Fonction: diode à commutation rapide et à récupération rapide. Spec info: IFMS 100Ap