Diodes standard et de redressement

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 1000V

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm. VRRM: 100V. Remarque: GI, S

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 2A. Remarque: Ifsm--80A/8.2ms. Distance entre connexions (pas): 9.5x5.3mm. VRRM: 200V. Remarque: GI, S

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: 125A/PP. VRRM: 400V. Remarque: GI, S

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. Remarque: 125App/8.3ms. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 1000V. Remarque: GI, S

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'damper'. IF(AV): 1A. IFSM: 60A. Remarque: Samsung--32169-301-670. Remarque: Samsung--CK6813Z/SEH. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1500V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'damper'. IF(AV): 2.5A. IFSM: 50A. Remarque: Samsung--0402-000266. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 6.5x8.0mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 1500V

Diode. Cj: 55pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast Diode. IF(AV): 15A. IFSM: 200A. Remarque: Diode hyper rapide. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-2. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm--200Ap

Diode. Cj: 60pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast with Soft Recovery. IF(AV): 15A. IFSM: 30A. Remarque: Diode hyper rapide. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm--200Ap (1 Phase, 60Hz)

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Hyperfast with Soft Recovery. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Marquage sur le boîtier: RHR30120. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V

Diode. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 55 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Remarque: Diode hyper rapide. IRM (max): 500uA. IRM (min): 100uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 3.2V. Tension de seuil Vf (min): 2.6V. VRRM: 1200V. Spec info: Ifsm 100Ap (1 Phase, 60Hz)

Diode. RoHS: oui. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode hyper rapide. IF(AV): 8A. IFSM: 16A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Tension de seuil Vf (max): 2.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App (60Hz)

Diode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3.5A. IFSM: 80A. Distance entre connexions (pas): 8x6.5mm. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Remarque: diode de redressement à récupération ultra-rapide

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 50V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 100V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide. Montage en surface. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC ( 4.6x2.92 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 125 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 80A. IFSM: 500A. IRM (max): 2mA. IRM (min): 250uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247-2. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--500App 60Hz. Fonction: diode ultrarapide

Diode. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast Recovery Diode. IF(AV): 30A. IFSM: 325A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: pinout--1

Diode. Conditionnement: tube en plastique. Structure diélectrique: cathode commune. Double: Double. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER. IF(AV): 16A. IFSM: 150A. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -65...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.55V. Tension de seuil Vf (min): 0.48V. VRRM: 40V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: Ifsm 150A/10ms. Unité de conditionnement: 50. Remarque: double diode au silicium

Diode. Cj: 12pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1.8us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diodes de redressement à usage général. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Remarque: sérigraphie/code CMS 1M. Remarque: boîtier 4.6x2.7mm. Marquage sur le boîtier: 1 M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMA DO214AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.5A. VRRM: 200V