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Diode RL4Z

Diode RL4Z
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Diode RL4Z. Diode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3.5A. IFSM: 80A. Distance entre connexions (pas): 8x6.5mm. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 5.2x8.0mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.95V. VRRM: 200V. Remarque: diode de redressement à récupération ultra-rapide. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

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