Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1385pF. C (out): 275pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: contrôleur de charge batterie. Id(imp): 50A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Spec info: Niveau de protection ESD HBM de 3.8kV. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui

Transistor canal P, SO, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: P. Fonction: Double MOSFET à canal P. PowerTrench. 30V. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 2. Technologie: canal P. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

Transistor canal P, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 2. Technologie: canal P. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -11A, 1, SO, SO-8, 30 v. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2470pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Marquage du fabricant: Gamme VGS étendue (-25V) pour les applications fonctionnant sur batterie. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 120ns. Td(on): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

Transistor canal P, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2890pF. C (out): 500pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 65A. Id (T=100°C): n/a. Idss (min): n/a. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -5.3A, 1, SO, SO-8, 30 v. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS9435A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 528pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal P, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: P. Fonction: transistor MOSFET canal P. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.075 Ohms

Transistor canal P, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Id (T=25°C): 0.46A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. C (in): 63pF. C (out): 34pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): composant monté en surface (CMS). Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Id(imp): 1.5A. Id (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 304. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2550pF. C (out): 710pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 198 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 144A. Id (T=100°C): 25.5A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 294W. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 155 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 30. Spec info: Faible charge de grille (81nC typique). Protection G-S: non

Transistor canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 510pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 102A. Id (T=100°C): 19.1A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension Vds(max): 500V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10.8A. Id (T=100°C): 1.71A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 85W. Résistance passante Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 9.4A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 420pF. C (out): 195pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 83 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. Id (T=100°C): 5.95A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Protection G-S: non

Transistor canal P, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1C ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 1450pF. C (out): 450pF. Type de canal: P. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 60A. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Nombre de connexions: 3. Fonction: transistor IGBT MOS canal P. Spec info: amplificateur audio. Diode CE: non. Diode au Germanium: non

Transistor canal P, 74A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=25°C): 74A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 89 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 260A. Id (T=100°C): 52A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -55V, -74A, 200W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Boîtier (norme JEDEC): 200W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF4905. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F4905S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F4905S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2700pF. C (out): 790pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 29A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal P, 40A, TO-220AB, -100V. Courant de drain maxi: 40A. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -100V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms

Transistor canal P, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 100V. C (in): 2860pF. C (out): 800pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 24A. Idss (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: F5210S. Dissipation de puissance maxi: 3.8W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 72 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -100V, -40A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5210S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 79 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 71 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 22A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non

Transistor canal P, 31A, TO-220AB, -55V. Courant de drain maxi: 31A. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -55V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: P. Puissance: 110W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5305S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: F5305S. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 39 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C