Transistor canal P, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - FDV304P

Transistor canal P, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V - FDV304P. Transistor canal P, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Id (T=25°C): 0.46A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. RoHS: oui. C (in): 63pF. C (out): 34pF. Type de canal: P. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): composant monté en surface (CMS). Type de transistor: MOSFET. Fonction: faible charge d'entrée. Protection G-S: non. Id(imp): 1.5A. Id (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 304. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V. Produit d'origine constructeur On Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 27/06/2025, 17:25.