Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.45€ | 1.74€ |
5 - 9 | 1.38€ | 1.66€ |
10 - 24 | 1.31€ | 1.57€ |
25 - 33 | 1.23€ | 1.48€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.45€ | 1.74€ |
5 - 9 | 1.38€ | 1.66€ |
10 - 24 | 1.31€ | 1.57€ |
25 - 33 | 1.23€ | 1.48€ |
Transistor canal P, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V - FQU11P06. Transistor canal P, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 9.4A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 420pF. C (out): 195pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 83 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. Id (T=100°C): 5.95A. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 03:25.
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