Transistors FET et MOSFET canal P

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, -100V, -0.68A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP316. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, -250V, -0.26A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP92P. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 101 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 104pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-92, -50V, -170mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSS110. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.63W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: nem. Boîtier: SOT23. Puissance: 360mW. Montage/installation: SMD. Type de transistor: P-MOSFET. Polarité: unipolaire. Tension drain - source: -60V. Courant de drain: -330mA. Résistance dans l'état passant: 2 Ohms

Transistor canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Id (T=25°C): 130mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 50V. C (in): 25pF. C (out): 15pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. Id (T=100°C): 75mA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 11W. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 7 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: 'Enhancement mode vertical D-MOS transistor'. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: sérigraphie/code CMS 11W. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 13. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 7 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 45pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.18A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VS. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 48 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 36pF

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: Dissipation de puissance maxi. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 12 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Capacité de grille Ciss [pF]: 36pF

Transistor canal P, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension Vds(max): 200V. C (in): 734pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 120ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Nombre de connexions: 2. Spec info: transistor complémentaire (paire) BUZ901. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal P, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1802pF. C (out): 415pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Id (T=100°C): 9A. Marquage sur le boîtier: P3020LS. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.0116 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 46 ns. Td(on): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Divers: Vitesse de commutation rapide, faible fuite d'entrée/sortie. Fonction: faible résistance à l'état passant, faible tension de seuil de grille, faible capacité d'entrée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 1850pF. C (out): 850pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 250W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 105 ns. Td(on): 150 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20N20. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Transistor de puissance MOSFET canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 14V. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10N20. Protection drain-source: non. Protection G-S: non

Transistor canal P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. Id (T=25°C): 4.3A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Tension Vds(max): 35V. C (in): 530pF. C (out): 105pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 16 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 365P. Marquage sur le boîtier: 365 P. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: onduleurs, alimentations électriques. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23/6, -20V, -4.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23/6. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: .638. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 700pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Idss (min): 1uA. Remarque: sérigraphie/code CMS 642. Marquage sur le boîtier: 642. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 120ns. Td(on): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Spec info: faible charge d'entrée. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SSOT. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Tension Vds(max): 20V. C (in): 630pF. C (out): 160pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 17 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. Idss (min): 250uA. Remarque: sérigraphie/code CMS FDC642P. Marquage sur le boîtier: FDC642P. Nombre de connexions: 6. Dissipation de puissance maxi: 1.2W. Résistance passante Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 23.5 ns. Td(on): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Fonction: Interrupteur de charge, protection de batterie. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Protection G-S: non

Transistor canal P, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Id (T=25°C): 58A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 40V. C (in): 2085pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'High performance trench technology'. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 50A. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: FDD4141. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 69W. Résistance passante Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: résistance RDS(on) extrêmement faible. Protection G-S: non

Transistor canal P, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 60V. RoHS: oui. C (in): 759pF. C (out): 90pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): composant monté en surface (CMS). Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 45A. Id (T=100°C): 15A. Idss (min): 1uA. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: FDD5614P. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 42W. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor canal P, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1715pF. C (out): 440pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 26 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 11A. Remarque: transistor à commande de porte par niveau logique. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 52W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -12V, -2.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 306. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1138pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Id (T=25°C): 1.6A. Idss (maxi): 0.1uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 20V. C (in): 451pF. C (out): 75pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Gestion de la batterie. Id(imp): 5A. Idss (min): n/a. Remarque: sérigraphie/code CMS 338. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.088 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Specified PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V

Transistor canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. Id (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 182pF. C (out): 56pF. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 358. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, -60V, -1.25A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 618. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 430pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1604pF. C (out): 408pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 13 ns. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal P, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2010pF. C (out): 590pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non