Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 3F. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G/4C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 4C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (in): 10pF. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Remarque: transistor complémentaire (paire) BC850C. Marquage sur le boîtier: 4g. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 4G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 0.25W. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-89, 20V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-89. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: CEC. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF/S. Gain hFE maxi: 2000. Gain hFE mini: 1000. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP51/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP54-16. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP52/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP55-16. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCP53-10. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-261, 80V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AH-10. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 25pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP 5316. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP56-16. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor pour applications basse puissance. Résistance BE: SOT223. C (in): 1.5W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: AH. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-264. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCP56-10. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCP69/25. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCP69. Fréquence de coupure ft [MHz]: 140 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 4.7k Ohms. Diode BE: non. Résistance BE: 4.7k Ohms. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor numérique au silicium PNP. Gain hFE mini: 50. Marquage sur le boîtier: XUs. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: XHs. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 100mA, SOT-143, SOT-143, 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor double silicium PNP. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage sur le boîtier: 3Ls. Nombre de connexions: 4. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3Ls. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP & PNP. Vcbo: 30 v

Transistor PNP, 0.1A, 32V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 250. Remarque: sérigraphie/code CMS C2. Marquage sur le boîtier: C2. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Type de transistor: PNP. Vcbo: 32V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Remarque: >120. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BCW69R. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: T1. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 125V. Diode BE: non. C (out): 12pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: transistor PNP. pour applications AF et commutation. Gain hFE maxi: 63. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: DKs. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX41. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 125V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: DKs. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.33W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C