Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 80V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC640-16. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639-16. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 80V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC640. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Marquage sur le boîtier: 5B. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 5B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5B1. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, SOT23, -45V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.31W. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 250. Série: BC

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

Transistor PNP, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V, 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Courant de collecteur: 100mA. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Diode BE: non. C (out): 4.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SC-70. Boîtier (norme JEDEC): SOT-323. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 125. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3E. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 3E. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: °C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

Transistor PNP, SOT23, -45V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.25W. Tension base / collecteur VCBO: -50V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 220. Série: BC

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3F. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

ROHS: Oui. Boîtier: SOT363. Fréquence: 100MHz. Puissance: 200mW. Montage/installation: SMD. Type de conditionnement: Tekercs. Type de transistor: PNP x2. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Conditionnement d'origine: 3000

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), TSSOP6, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSSOP6. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: double transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Marquage du fabricant: 3Ft. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-323. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3F. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, SOT23, 30V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.25W. Tension base / collecteur VCBO: 30V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 100MHz. Gain hFE min.: 220. Courant maximum 1: 0.1A. Série: BC

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C