Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, TO-92, 20V, 1A, TO-92. Boîtier: TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Transistor PNP, -20V, -1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -20V. Courant de collecteur: -1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Puissance: 0.625W

Transistor PNP, 0.1A, 180V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Spec info: TO18. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.4A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 3000. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC517. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC517. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC556B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC556B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 280 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, -65V, -0.1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -65V. Courant de collecteur: -0.1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Puissance: 0.5W

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo-Pak ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 110. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC557B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC557B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 320 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, -50V, -0.2A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -50V. Courant de collecteur: -0.2A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Puissance: 0.5W

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (in): 10pF. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC547C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC557B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC557C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 320 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Commutation et amplificateur AF. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: C559A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 200...450. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550B. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 2.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 380. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor PNP, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. RoHS: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC550C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Date de production: 1997.04. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (Ammo). Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Courant de collecteur: 1A. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Vcbo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 40. Dissipation de puissance maxi: 0.8W