Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Diode CE: oui

Transistor PNP, 0.1A, 20V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-18, 25V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-18. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W

Transistor PNP, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -60V. C (in): -0.5A. C (out): 0.85W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.65 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type de transistor: PNP. Vcbo: 85V. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 0.65 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 40. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.85W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.65V. Vebo: 7V

Transistor PNP, 0.1A, 30 v. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: C32716. Fréquence de coupure ft [MHz]: 260 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 160-400. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-25. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC327-25. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC327-25. Fréquence de coupure ft [MHz]: 260 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC327-25. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 45V, 800mA, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC327-40. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-40

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: hFE 250-600. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC337-40. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, TO-92, 0.8A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -30V. C (in): -0.8A. C (out): 0.63W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 20V, 1.5A, 20V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC369. Fréquence de coupure ft [MHz]: 45 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, -20V, -1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -20V. Courant de collecteur: -1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Puissance: 0.625W

Transistor PNP, 0.1A, 180V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP. Spec info: TO18

Transistor PNP, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.4A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 3000. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC517

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC517. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC556B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC546B

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC556B. Fréquence de coupure ft [MHz]: 280 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, -65V, -0.1A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -65V. Courant de collecteur: -0.1A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Puissance: 0.5W