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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V - BCP52-16. Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 15pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 145 MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP52/16. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1.35W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP55-16. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Nxp Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 22:25.

Documentation technique

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Transistor PNP, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. C (out): 25pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150MHz. Fonction: Applications audio, téléphonie et automobile. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: BCP 5316. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCP56-16. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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