Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.29€ | 0.35€ |
5 - 9 | 0.27€ | 0.32€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
100 - 149 | 0.21€ | 0.25€ |
150 - 25159 | 0.20€ | 0.24€ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.29€ | 0.35€ |
5 - 9 | 0.27€ | 0.32€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.31€ |
25 - 49 | 0.24€ | 0.29€ |
50 - 99 | 0.23€ | 0.28€ |
100 - 149 | 0.21€ | 0.25€ |
150 - 25159 | 0.20€ | 0.24€ |
Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B. Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. C (out): 4.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 14:25.
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