Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour les applications à grande vitesse. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Tf(max): 150 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 CASE 221A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 190V. Vebo: 7V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 250 ns. Tf(min): 120ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 85W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 15A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Boîtier: TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: haute tension, commutation rapide. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 32W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 32W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 175W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUX48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 175W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +200°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: S. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUX85G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Résistance B: Transistor de puissance. Diode BE: NPN. Résistance BE: commutation. C (in): 1000V. C (out): 0.5A. Diode CE: 40W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-82. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUX87P. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 25 MHz. Fonction: S-L. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 15A. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 2200V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 280V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 1220pF. C (out): 410pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 37A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): P-TO263-3-2. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 1500pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 19A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.03 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 180 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 50V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 32A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 42A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Technologie: V-MOS. Tension Vds(max): 50V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 39A. Idss (maxi): 39A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 40m Ohms. Technologie: V-MOS S/L. Tension Vds(max): 50V. Remarque: 250/500ns. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUZ22. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 300 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1850pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 2.6A. Dissipation de puissance maxi: 78W. Technologie: V-MOS L. Tension Vds(max): 1000V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 330pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non