Transistor BUW13A
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 10.65€ | 12.78€ |
| 2 - 2 | 10.12€ | 12.14€ |
| 3 - 4 | 9.59€ | 11.51€ |
| 5 - 9 | 9.05€ | 10.86€ |
| 10 - 14 | 8.84€ | 10.61€ |
| 15 - 19 | 8.63€ | 10.36€ |
| 20+ | 8.31€ | 9.97€ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 10.65€ | 12.78€ |
| 2 - 2 | 10.12€ | 12.14€ |
| 3 - 4 | 9.59€ | 11.51€ |
| 5 - 9 | 9.05€ | 10.86€ |
| 10 - 14 | 8.84€ | 10.61€ |
| 15 - 19 | 8.63€ | 10.36€ |
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Transistor BUW13A. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 15A. Dissipation de puissance maxi: 175W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.
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Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 15A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 15A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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