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Transistor BUW12A

Transistor BUW12A
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Transistor BUW12A. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.

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Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BUV48A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 8. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 7V. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: NPN. Applications: commutation. Tension collecteur-émetteur VCEO: 1000V. Courant de collecteur: 15A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)
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