Transistor BUW11
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.25€ | 2.70€ |
| 5 - 9 | 2.14€ | 2.57€ |
| 10 - 24 | 2.03€ | 2.44€ |
| 25 - 49 | 1.92€ | 2.30€ |
| 50 - 99 | 1.87€ | 2.24€ |
| 100 - 249 | 1.83€ | 2.20€ |
| 250+ | 1.74€ | 2.09€ |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.25€ | 2.70€ |
| 5 - 9 | 2.14€ | 2.57€ |
| 10 - 24 | 2.03€ | 2.44€ |
| 25 - 49 | 1.92€ | 2.30€ |
| 50 - 99 | 1.87€ | 2.24€ |
| 100 - 249 | 1.83€ | 2.20€ |
| 250+ | 1.74€ | 2.09€ |
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Transistor BUW11. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 00:25.
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Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.8us. Boîtier: TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: haute tension, commutation rapide. Diode BE: non. Diode CE: non
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