Transistor MBQ60T65PES

Transistor MBQ60T65PES. Transistor. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: 60T65PES. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 535W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.