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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IRFPE40

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Transistor IRFPE40. Transistor. C (in): 1900pF. C (out): 470pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 22A. Id (T=100°C): 3.4A. Id (T=25°C): 5.4A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: commutation rapide, ORION TV. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 11:25.

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Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 3100pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 31A. Id (T=100°C): 4.7A. Id (T=25°C): 7.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 120ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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