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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode - BYV32-200G

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Diode - BYV32-200G. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2dB. Structure diélectrique: Cathode commune. Trr Diode (Min.): 35ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: BYV32-200. Nombre de connexions: 3 pièces. ROHS: Oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.01V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. VRRM: 200V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

Documentation technique

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