Transistor STP6NK60Z

Transistor STP6NK60Z. Transistor. C (in): 905pF. C (out): 115pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 445 ns. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 104W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.