Transistor IRFPG50

Transistor IRFPG50. Transistor. C (in): 2800pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 630 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 3.9A. Id (T=25°C): 6.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 190W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.