Recherche de produit: P-SUP-PS65-12 - RPtronics. Page 3 sur 11

FDN306P

Transistor canal P FDN306P, SOT-23, -12V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -12V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1138pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -2.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 306. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V...

0.80€

Quantité en stock: 2305

FDN338P

Transistor canal P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Id (T=25°C): 1.6A. Idss (maxi): 0.1uA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 20V. C (in): 451pF. C (out): 75pF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Fonction: Gestion de la batterie. Id(imp): 5A. Idss (min): n/a. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 338. Résistance passante Rds On: 0.088 Ohms. Td(off): 16 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Specified PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V...

0.56€

Quantité en stock: 87

FDN358P

Transistor canal P FDN358P, SOT-23 ( TO-236 ), -30V, 1.5A, 10uA, SOT-23, 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Id (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 182pF. C (out): 56pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 182pF. Conditionnement: rouleau. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -1.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: 358. Marquage sur le boîtier: 358. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.105 Ohms. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 3000. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

0.60€

+959 rapidement
Quantité en stock: 85

FDN5618P

Transistor canal P FDN5618P, SOT-23, -60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 430pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.25A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 16.5 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: 618. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V...

1.47€

Quantité en stock: 5029

FDS4435

Transistor canal P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1604pF. C (out): 408pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Td(off): 42 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: canal P. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

1.09€

Quantité en stock: 9

FDS4435A

Transistor canal P FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2010pF. C (out): 590pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

1.14€

Quantité en stock: 52

FDS4435BZ

Transistor canal P FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. : 'enhanced'. C (in): 1385pF. C (out): 275pF. Charge: 40nC. Courant de drain: -8.8A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Fonction: contrôleur de charge batterie. Id(imp): 50A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Polarité: unipolaire. Protection G-S: oui. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Spec info: Niveau de protection ESD HBM de 3.8kV. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 29 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.33€

+25 rapidement
Quantité en stock: 137

FDS4935A

Transistor canal P FDS4935A, SO, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 2W. Fonction: Double MOSFET à canal P. PowerTrench. 30V. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns. Technologie: canal P. Type de canal: P...

1.38€

Quantité en stock: 225

FDS4935BZ

Transistor canal P FDS4935BZ, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Dissipation de puissance maxi: 1.6W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns. Technologie: canal P. Type de canal: P...

1.35€

Quantité en stock: 161

FDS6675BZ

Transistor canal P FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1855pF. C (out): 355pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2470pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: Gamme VGS étendue (-25V) pour les applications fonctionnant sur batterie. Id (T=100°C): n/a. Id(imp): 55A. Idss (min): n/a. Marquage du fabricant: -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 17.4m Ohms. Spec info: FDS6675BZ. Td(off): 120ns. Td(on): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.18€

+1213 rapidement
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FDS6679AZ

Transistor canal P FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2890pF. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id (T=100°C): n/a. Id(imp): 65A. Idss (min): n/a. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 7.7m Ohms. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...

1.29€

Quantité en stock: 11

FDS9435A

Transistor canal P FDS9435A, SO, -30V, 5.3A, 100nA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Id (T=25°C): 5.3A. Idss (maxi): 100nA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 528pF. C (out): 132pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 528pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FDS9435A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Td(off): 14 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V...

0.90€

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Quantité en stock: 42

FDS9933A

Transistor canal P FDS9933A, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Fonction: transistor MOSFET canal P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 0.075 Ohms. Type de canal: P...

1.48€

Quantité en stock: 44

FDV304P

Transistor canal P FDV304P, SOT-23 ( TO-236 ), -25V, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO236 ), 25V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -25V. Id (T=25°C): 0.46A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. C (in): 63pF. C (out): 34pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 63pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -0.46A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.87 Ohms @ -0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.35W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: faible charge d'entrée. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 460mA. Id(imp): 1.5A. Idss (min): 1uA. Information: -. Marquage du fabricant: 304. Marquage sur le boîtier: 304. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. Spec info: Tension de grille de fonctionnement aussi basse que 2.5V. Série: -. Td(off): 55 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: P. Type de montage: SMD. Type de transistor: MOSFET. Vdss (tension drain à source): -25V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.65V...

0.15€

+20578 rapidement
Quantité en stock: 609

FQA36P15

Transistor canal P FQA36P15, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Id (T=25°C): 36A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 150V. C (in): 2550pF. C (out): 710pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 294W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 25.5A. Id(imp): 144A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.076 Ohms. Spec info: Faible charge de grille (81nC typique). Td(off): 155 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 198 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 30. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

5.43€

Quantité en stock: 224

FQB27P06TM

Transistor canal P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 1100pF. C (out): 510pF. Dissipation de puissance maxi: 120W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 19.1A. Id(imp): 102A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

1.57€

Quantité en stock: 98

FQP3P50

Transistor canal P FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension Vds(max): 500V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Charge: 23nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -2.7A. Dissipation de puissance maxi: 85W. Id (T=100°C): 1.71A. Id(imp): 10.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 85W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 4.9 Ohms. Résistance passante Rds On: 3.9 Ohms. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -500V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

1.53€

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FQU11P06

Transistor canal P FQU11P06, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. Id (T=25°C): 9.4A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 420pF. C (out): 195pF. Dissipation de puissance maxi: 38W. Fonction: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Id (T=100°C): 5.95A. Id(imp): 37.6A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Td(off): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 83 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V...

1.44€

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GT20D201

Transistor canal P GT20D201, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1C ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. C (in): 1450pF. C (out): 450pF. Courant de collecteur: 20A. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 180W. Fonction: transistor IGBT MOS canal P. Ic(puls): 60A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: amplificateur audio. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: P...

24.65€

Produit obsolète
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IRF4905

Transistor canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 74A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Charge: 120nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -74A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id (T=100°C): 52A. Id(imp): 260A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 20M Ohms. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 89 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.76€

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IRF4905PBF

Transistor canal P IRF4905PBF, TO220AB, -55V, 74A, -55V. Boîtier: TO220AB. Tension drain - source (Vds): -55V. Courant de drain maxi: 74A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -74A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 61 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 74A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF4905. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. Puissance: 200W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Série: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de canal: P. Type de montage: THT. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Vdss (tension drain à source): -55V...

3.55€

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IRF4905SPBF

Transistor canal P IRF4905SPBF, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, -55V, 70A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), 55V. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: Commutation rapide, résistance à l'état passant ultra faible. Id (T=100°C): 42A. Id(imp): 260A. Idss (min): 25uA. Marquage du fabricant: F4905S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 89 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.69€

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IRF4905STRLPBF

Transistor canal P IRF4905STRLPBF, D²-PAK, TO-263, -55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -64A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: F4905S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V...

5.03€

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IRF5210

Transistor canal P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2700pF. C (out): 790pF. Charge: 120nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -40A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 29A. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V...

2.79€

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