Transistor canal P FQP3P50, TO-220, 2.7A, 10uA, TO220, 500V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 2.7A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Tension Vds(max): 500V. C (in): 510pF. C (out): 70pF. Charge: 23nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -2.7A. Dissipation de puissance maxi: 85W. Id (T=100°C): 1.71A. Id(imp): 10.8A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Puissance: 85W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 4.9 Ohms. Résistance passante Rds On: 3.9 Ohms. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Td(off): 12 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension drain - source: -500V. Tension grille-source: ±30V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19