Transistor canal P FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1855pF. C (out): 355pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 2470pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 200 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: Gamme VGS étendue (-25V) pour les applications fonctionnant sur batterie. Id (T=100°C): n/a. Id(imp): 55A. Idss (min): n/a. Marquage du fabricant: -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 17.4m Ohms. Spec info: FDS6675BZ. Td(off): 120ns. Td(on): 3 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs: 25V. Trr Diode (Min.): 42 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19