Transistor canal P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.08€
5-49
0.89€
50-99
0.75€
100+
0.64€
Quantité en stock: 9

Transistor canal P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 8.8A. Idss (maxi): 1uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1604pF. C (out): 408pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Td(off): 42 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: canal P. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FDS4435
25 paramètres
Id (T=25°C)
8.8A
Idss (maxi)
1uA
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
1604pF
C (out)
408pF
Dissipation de puissance maxi
2.5W
Id(imp)
50A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.015 Ohms
Td(off)
42 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
canal P
Tension grille/source Vgs
25V
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Fairchild