Transistor canal P FDS9435A, SO, -30V, 5.3A, 100nA, SO-8, 30 v. Boîtier: SO. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Id (T=25°C): 5.3A. Idss (maxi): 100nA. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 528pF. C (out): 132pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 528pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -5.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Marquage du fabricant: FDS9435A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.042 Ohms. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Td(off): 14 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs: 25V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19