Transistor canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

Transistor canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.72€
5-24
2.35€
25-49
2.08€
50-99
1.91€
100+
1.63€
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Transistor canal P IRF4905, TO-220, 74A, 250uA, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 74A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 55V. C (in): 3400pF. C (out): 1400pF. Charge: 120nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -74A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id (T=100°C): 52A. Id(imp): 260A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 20M Ohms. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Td(off): 61 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -55V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 89 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
IRF4905
37 paramètres
Boîtier
TO-220
Id (T=25°C)
74A
Idss (maxi)
250uA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension Vds(max)
55V
C (in)
3400pF
C (out)
1400pF
Charge
120nC
Conditionnement
tubus
Courant de drain
-74A
Dissipation de puissance maxi
200W
Fonction
Ultra Low On-Resistance
Id (T=100°C)
52A
Id(imp)
260A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Polarité
unipolaire
Protection G-S
non
Protection drain-source
diode zéner
Puissance
200W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance dans l'état passant
20M Ohms
Résistance passante Rds On
0.02 Ohms
Td(off)
61 ns
Td(on)
18 ns
Technologie
HEXFET Power MOSFET
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Tension drain - source
-55V
Tension grille-source
±20V
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
89 ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
International Rectifier