Transistor canal P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V
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Transistor canal P IRF5210, TO-220, 40A, 250uA, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2700pF. C (out): 790pF. Charge: 120nC. Conditionnement: tubus. Courant de drain: -40A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 29A. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 200W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension drain - source: -100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27