Transistor canal P FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor canal P FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.13€
5-49
0.93€
50-99
0.79€
100+
0.67€
Quantité en stock: 52

Transistor canal P FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2010pF. C (out): 590pF. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Id(imp): 50A. Idss (min): 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 8. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19

Documentation technique (PDF)
FDS4435A
28 paramètres
Id (T=25°C)
9A
Idss (maxi)
10uA
Boîtier
SO
Boîtier (selon fiche technique)
SO-8
Tension Vds(max)
30 v
C (in)
2010pF
C (out)
590pF
Dissipation de puissance maxi
2.5W
Id(imp)
50A
Idss (min)
1uA
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
8
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Résistance passante Rds On
0.015 Ohms
Td(off)
100 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
canal P
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
20V
Trr Diode (Min.)
36ns
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Produit d'origine constructeur
Fairchild